存储芯片
存储芯片
HBM 等 AI 存储芯片主题的同花顺概念归并页
迁移说明
- 同花顺概念：存储芯片（307940）
- 合并来源：
HBM.md - 迁移日期：2026-04-19
合并内容
原页面：HBM
HBM（High Bandwidth Memory，高带宽内存）
一句话定义：AI 加速器（GPU/TPU/ASIC）的核心存储组件，通过 3D 堆叠技术实现超高带宽，2026 年产能完全售罄、价格提升近 20%，是 AI 算力产业链中最紧俏的存储产品之一。
技术原理
- 3D 堆叠：通过 TSV（硅通孔）技术将多层 DRAM 芯片垂直堆叠
- 高带宽：相比传统 GDDR，HBM 提供数倍甚至数十倍的内存带宽
- 低功耗：由于数据传输距离短，功耗显著低于传统内存方案
- 与 GPU 共封装：通过微凸块（micro-bump）与 GPU/ASIC 封装在同一基板上
市场供需（2026 年）
产能完全售罄
价格趋势
- HBM3E 2026 年合同价格提高近 20%
- 每增加一份 HBM 产能，压缩三份通用 DRAM 供应
主要供应商
| 公司 | 产品 | 市场地位 |
|---|---|---|
| SK 海力士 | HBM3/HBM3E | 市场份额领先 |
| Samsung | HBM3/HBM3E | 追赶中 |
| Micron | HBM3E | 第三家量产供应商 |
应用趋势
特斯拉 AI5 芯片
- 采用 SK 海力士环绕式封装
- 内存 144GB，较上一代提升 9 倍
下一代 HBM
- HBM4 正在开发中
- 堆叠层数继续增加
- 带宽和容量持续提升
投资含义
- 存储厂商：SK 海力士、Samsung、Micron 直接受益
- 设备商：HBM 制造工艺复杂，刻蚀、薄膜沉积设备需求旺盛
- 基板材料：ABF 基板、T-Glass 等上游材料紧缺
信息来源
| 日期 | 来源文件 | 核心内容 | 信源权重 |
|---|---|---|---|
| 2026-04-11 | 盘点AI 热潮中被提前预定的产能.md |
HBM 产能售罄、价格提升 | 🟡 medium |
| 2026-04-17 | 2026-04-17-wechat-AI5意味着什么.md |
特斯拉 AI5 采用 SK 海力士环绕式封装 | 🟡 medium |
| 2026-04-10 | Global Memory Tech(1).pdf |
全球存储技术（PDF，待补充详细内容） | 🟡 medium |
本页面由 LLM 基于原始剪报自动整理生成，最后更新：2026-04-18