卓胜微(300782.SZ

一句话定义:国内稀缺12英寸SiGe/SOI IDM厂商,射频主业承压但SiGe光通信电芯片(TIA/Driver)产能具备Tower Semi外溢承接能力,SiGe业务合理估值50-100亿但当前仅定价约30亿。


核心数据对比(vs Tower Semi)

指标 Tower Semi 卓胜微 对比
市值 200亿美元(~1440亿人民币) 473亿人民币(~66亿美元) 卓胜微为Tower的33%
2025年收入 15.7亿美元(~113亿) 37.3亿人民币(~5.2亿) 卓胜微为Tower的33%
P/S 12.7x 12.7x 相同
收入增速 +9% -17% Tower增长vs卓胜微下滑
盈利能力 净利润2.2亿美元 亏损2.7亿人民币 Tower盈利vs卓胜微亏损

SiGe业务专项

产能与收入

指标 Tower Semi 卓胜微 比例
SiGe产能 150,000片/月 7K-10K片/月(12英寸目标) 6.7%
SiGe收入 ~4亿美元(~29亿) ~1亿人民币(估算) 3.4%
SiPh收入增速 +115%(2025) 尚未放量 -

卓胜微SiGe估值推算

方法 计算 结果
产能比例法 720亿×6.7% 48亿人民币
收入比例法 720亿×3.4% 25亿人民币
综合基准 - 35-50亿人民币

考虑国内稀缺性溢价

情景 溢价倍数 SiGe估值
保守 1.5x 50-75亿
中性 2.0x 70-100亿
乐观 3.0x 100-150亿

芯卓半导体产线概况

产线 尺寸 工艺类型 当前产能 产品应用
6英寸产线 6英寸 SAW/MAX-SAW滤波器 ~10K片/月 射频滤波器、双工器
12英寸产线 12英寸 SiGe/SOI、RF CMOS ~7K片/月(目标10K) 射频开关、LNA、电芯片
先进封装 - 异构集成 部分量产 射频模组

硅光适配性分析

已具备能力

缺失能力(与Tower差距)

与硅光光芯片需求匹配度

组件 工艺要求 适配性 说明
TIA(跨阻放大器) SiGe BiCMOS 与射频LNA同源
Driver(驱动芯片) SiGe BiCMOS 已有产能可承接
光电探测器(PD) Ge-on-Si外延 需新增模块
光调制器 硅光子工艺 需专用产线
波导/耦合器 硅光刻蚀 需亚微米光刻

三家差异化定位

公司 定位 优势领域
Tower Semi 全球硅光代工龙头 完整硅光PDK、客户生态
星钥光子(长光华芯) 国产硅光Foundry 8英寸专用产线、异质集成
卓胜微 国产SiGe IDM 12英寸SiGe、电芯片自主

战略建议

对卓胜微

对投资者


信息来源

日期 来源文件 核心内容 信源权重
2026-03-26 Tower_vs_卓胜微_估值对比更新.md 估值对比、SiGe业务估值推算、投资建议 medium 🟡
2026-03-26 卓胜微硅光产能适配性分析报告.md 工艺平台对比、SiGe适配性、战略建议 medium 🟡
2026-03-22 Semianalysis:Tower Semi SiPh Capacity.pdf PDF引用 high 🟢

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